《表3 一般烧结和经二次结晶后玻璃封接样品的电性能检测结果(检测环境：温度22～25°C，相对湿度70%～80%)》

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《硼硅玻璃与可伐合金的封接机理与工艺探索》

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1)在用玻璃间隔的两金属上施加500 V的直流电压，绝缘电阻≥10 000 MΩ为合格。2)在用玻璃间隔的两金属上施加1 800～1 850 V的直流电压（电压间漏电流≤1 m A），持续时间2～5 s，无拉弧或不导通为合格。

采用不能满足电性能要求的玻璃封接样品进行二次结晶工艺方法验证和批量生产，结果完全满足产品要求。电性能验证样品如图5所示，测量结果见表3。