《表1 2G-HTS带材各种技术路线与典型单位》

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《基于第二代高温超导带材的磁体研究进展与挑战》

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注：SCSC—上海上创超导；SST—上海超导；SAMRI—苏州新材料研究所

高温超导材料中的大角度晶界易形成弱连接，极大地削弱带材的Jc[8]，因此RE123带材的发展主要围绕着如何实现材料的织构化，提高Jc。多年来，全球各大研究机构已经在工业水平上实施了多种方法来消除弱连接，其中基于双轴织构和超导薄膜外延技术的运用是比较普遍的。由于RE123超导层为陶瓷材料，延展性差，采用传统的粉末套管法难以制备成材，所以通常采用涂层技术的外延生长，一个RE123带材的典型结构有金属基底、缓冲层、超导层及顶部的银保护层。基于超导薄膜外延生长和缓冲层双轴织构技术发展而来的超导带材，由于其高度的面内和面外晶粒织构消除了电流的弱连接，以及其岛状生长机制而形成的大量位错缺陷，为超导体提供了有效的磁通钉扎中心，使得带材的Jc和不可逆场都有明显提高[9]。因此，缓冲层的双轴织构形成和超导薄膜的外延生长至关重要。表1列出了2G-HTS带材各种技术路线与典型生产单位。