《表2 有损检测的试验条件及其测量的参量Tab.2 Experimental conditions and measured parameters of the destructive test》

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《基于低频噪声检测的电力MOSFET可靠性分析》

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对比两种方法对应的产品合格率可知，根据器件内部的低频噪声能够提高短沟道MOS器件可靠性筛选的精度。这是因为使用有损检测法对器件进行可靠性筛选时，不会考虑其对待测器件自身造成的损坏，因此采用有损检测法筛选出的Ⅰ级器件优质率将会偏高于Ⅰ级器件实际可靠率，而利用低频噪声进行的无损检测法评估器件的可靠性等级时，并不对器件自身造成损坏，因此其筛选结果更接近于器件可靠性的真实等级，这与通过表3得出的I级器件优质率小于有损检测筛选的结果相吻合。同时由于Ⅰ级器件优质率下降，使用低频噪声筛选出的Ⅱ级合格率与Ⅲ级器件的淘汰率将会升高。后期会进一步将该方法应用到其他种类半导体器件的可靠性研究，以验证其是否具有普遍适用性。