《表3 辐射电流和评价参量实测值Table 3 The experimental values ofγ-ray induced current and evaluation parameter》

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《基于单/双层壁电离室的强钴源低能γ成分评估方法》

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表3列出了辐射电流和评价参量实测结果，由分析可知:空场下，在P1、P2位置1#电离室辐射灵敏度分别为145 n C·Gy-1（Si）和158 n C·Gy-1（Si），2#电离室辐射灵敏度分别为586 n C·Gy-1（Si）和721 n C·Gy-1（Si），P2位置靠墙较近，散射成分稍多，辐射灵敏度值和α都偏大；铅铝容器内部的辐射电流比值α明显小于空场条件，因此容器能够有效降低低能散射γ的比例；从数值来看，α实测与估计值相符；P1、P2位置的铅铝容器中α≤参考值（2.8），说明γ能量应集中在300 ke V~1.25 Me V范围内，均适合用于器件辐照实验，可使用2~5 mm厚铅层，进一步硬化能谱。上述实验结果都与预期情况相符合，说明评价方法是合适的。