《表1 硅料温度与检测值：一种多晶硅质量下滑原因的分析方法》

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《一种多晶硅质量下滑原因的分析方法》

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对同一硅棒在不同温度下的电阻进行检测，结果见表1。当温度低于80℃时，电阻不易测量；在80～140℃时，检测电阻与温度成反比，每提升15℃，电阻下降50%左右；高于140℃时，电阻率下降趋势变的缓慢。这证明，在80～140℃时，多晶硅样品处于杂质电离区。此外在110℃时，检验精度、准确度及复现性最好，因此确定多晶硅棒的温度为110℃。当硅棒中的杂质浓度较高时，较低的温度也可清晰、准确地检测出低电阻带，可以适当降低硅棒检测温度。