《表1 几种存储介质的特性比较[6,21]》

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《图划分在混合内存系统的实现与性能优化》

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新型非易失性存储器（Non-Volatile Memory，NVM)[1，4-5]可以作为主存或外存来缓解传统存储体系结构的问题．（1)NVM具有可字节寻址的特性，它可以直接挂载在内存总线上被访问，处理器可以通过load/store指令访存NVM上的数据[6-7]，而不需要通过耗时的I/O操作来访存数据；（2)NVM在访问时延和读写性能等方面与DRAM相近，静态功耗低于DRAM[8]；（3）NVM具有非易失性的特点，它可以对数据进行持久化存储．但是NVM也存在读写不对称的特性，它的写性能较差，写功耗高，写操作次数有限．例如，PCM设备的写次数通常只有108～109[1，9]．常用的非易失性存储介质主要包括相变存储器[4](Phase Change Memory，PCM）、电阻式/阻变存储器[10](Resistive Ram，RRAM）、石墨烯存储器[11](Graphene Memory，GM）．不同存储介质特性比较见表1.