《表1 ITRS提出的半导体存储器技术路线》

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《抗辐照相变存储器芯片温度适应性研究》

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从未来技术发展的角度来看，半导体芯片不仅需要工艺的更进一步缩小和更低的成本，还需要具有更高的性能、安全性、以及可靠性。然而，当半导体产业竞相寻找一个捷径去继续摩尔定律的时候，传统的半导体存储器面临着几个关键的挑战。DRAM，SRAM，闪存（Flash）等几种传统的半导体存储器都是基于电荷来存储信息的。基于电荷存储的存储器所面临的一个很大的挑战就是电荷存储量（单个器件中存储的电子数目）随着工艺尺寸的缩减变的太少，进而引发可靠性操作的问题。表1显示了一些预计半导体存储器技术走向。一般的共识是在未来几年DRAM和闪存随着半导体工艺尺寸的缩小将会变得越来越困难和昂贵，难以继续发展下去。同时DRAM和闪存都有致命的限制其应用的明显缺点：DRAM是易失型存储器，在没有电源的情况下无法存储信息。而闪存则速度很慢，比DRAM慢多个数量级。而对于空间应用来说，这些传统的基于电荷存储的存储器芯片还有一个更致命的缺点，所存储的电荷（代表1或0信息）非常容易受辐照的影响而导致失效。