《半导体中的深能级杂质》求取 ⇩

第一章能级概念1

1.1 浅能级杂质1

1.2 浅能级杂质电离能的计算3

1.3 深杂质能级问题6

1.4 深杂质能级8

第二章硅和锗中的深杂质能级12

2.1 硅：Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ族杂质17

2.2 硅中含有Ni，Pd，Pt，Co，Fe，Mn，Cr和W26

2.3 固溶度与分布系数的关系28

2.4 硅中含有Ⅵ族杂质O，S，Se和Te34

2.5 硅中含有Ⅳ族元素C，Ge和Sn37

2.6 硅中含有其它杂质Li，N,稀土族和辐照引发能级39

2.7 掺在锗中的杂质42

2.8 锗中含有Ⅱ?族杂质Be，Zn，Cd和Hg44

2.9 锗中掺有Li，Cu，Ag，Au和其它I族元素45

2.10 锗中掺有Ni，Pt，Co，Fe，Mn和Cr48

2.11 锗中掺有Ⅵ族元素杂质：O，S，Se和Te50

2.12 锗中的其它杂质50

第三章砷化镓和其它Ⅲ-Ⅴ族化合物中的深杂质能级52

3.1 GaAs中含有I族杂质Li，Na，Cu，Ag和Au53

3.2 GaAs中含有Ⅱ族杂质Be，Mg，Zn，Cd和Hg61

3.3 GaAs中含有Ⅳ族杂质C，Si，Ge和Sn61

3.4 GaAs中含有Ⅵ族杂质O，S，Se和Te61

3.5 GaAs中含有过渡族元素Cr，Mn，Fe，Co，Ni和V71

3.6 GaAs中稀土族元素的研究Tm和Nd73

3.7 GaP和InP中的深能级杂质74

3.8 Insb，InAs，GaSh和AISb中的深能级杂质81

第四章深能级杂质的稳定态统计学88

4.1 部分补偿的半导体统计学，ND＞NA89

4.2 简并度因子92

4.3 具有两个独立施主能级的半导体95

4.4 带有两重性的掺杂剂97

4.5 多重能级杂质的广义统计学98

第五章陷阱概念：强陷阱模型和场致效应107

5.1 Lax的级联俘获模型110

5.2 电场对由中性陷阱发射载流子的影响116

5.3 其它场效应121

第六章在大块材料中作为复合中心和陷阱的深能级杂质133

6.1 单能级的复合和产生133

6.2 寿命的进一步分析139

6.3 掺铟硅中的寿命143

6.4 表面复合效应149

6.5 含有一个电子陷阱和一个复合中心的半导体中的复合作用152

6.6 俘获和复合动力学的一般考虑155

6.7 掺金硅的瞬态寿命等值图160

第七章含深能级杂质的大块半导体中的光电导性和瞬态效应164

7.1 与单一深受主能级有关的非本征光电导性164

7.2 杂质光电导性中的瞬态效应173

7.3 掺银硅的光电导性衰减176

7.4 由“带隙宽度”能量的光引发的本征光电导性187

7.5 涉及两种波长光的光电导性效应191

7.6 光电导探测器的性能201

第八章半导体结中深能级杂质的复合和俘获效应205

8.1 由pn结中深的产生-复合中心所引起的产生和复合电流(Sah-Noyce-Shockley模型)206

8.2 深能级杂质对二极管特性影响的实验观察211

8.3 在深能级杂质存在的情况下结电容随频率的变化219

8.4 耗尽区中电容和反向电流的瞬态变化248

8.5 其它结型结构中深能级杂质效应254

第九章陷阱的热激电流的研究260

9.1 准平衡分析261

9.2 通用公式262

9.3 快的重俘获分析263

9.4 一般分析264

9.5 数值估计266

9.6 从起始上升曲线的斜率求能级271

9.7 两个陷阱能级的相互作用275

9.8 硅的若干实验研究278

9.9 热激电流的其他实验研究293

9.10 电场对TSC测量的影响300

9.11 结耗尽区中的热激电流303

第十章深能级杂质的寿命和俘获截面的测量方法307

10.1 现有方法的回顾307

10.2 光电磁效应310

10.3 扩散长度和漂移技术318

10.4 结耗尽技术321

10.5 深能级杂质的噪声研究323

10.6 硅中的俘获截面330

第十一章含深能级杂质的半导体中空间电荷限定电流的研究342

11.1 Ashley-Milnes空间电荷状态344

11.2 深能级杂质的密度梯度效应361

11.3 在双注入状态中细丝状物的形成366

11.4 作为GaAs中双注入阈值的一个因素——光学反馈374

11.5 双注入负阻特性的可能用途379

第二章高阻深能级杂质半导体中陷阱控制畴的传播和其他振荡现象382

12.1 由场增强俘获作用所产生的畴的分析385

12.2 与畴振荡实验观测结果的关系399

12.3 在硅pin结构中由深能级引起的振荡现象407

12.4 复合波振荡现象411

12.5 其它振荡形式412

第十三章深能级杂质的电场碰撞电离作用413

13.1 硅中铟、镍和金的碰撞电离模型414

13.2 实验研究423

13.3 在高密度碰撞中心下的重迭效应430

13.4 小结432

第十四章与深能级杂质有关联的杂质带电导和跳跃433

14.1 杂质带电导434

14.2 跳跃电导率及其与频率的关系439

14.3 与深能级杂质的关系446

符号447

参考文献458