《半导体光学性质》求取 ⇩

目录1

序言1

1．导电媒质光学性质的理论1

1.1　波的传播1

1.2　导电表面的行为3

1.3　空气-导体分界面的反射率7

1.4　导电表面的折射10

1.5　光的干涉现象及n和k的测量11

2．色散理论16

2.1　电介质16

2.2　光学常数的Argand图19

2.3　吸收和反射率的理论变化21

2.4　光学常数的内在关系24

2.5　金属或自由载流子的吸收30

3.1　直接和间接光学跃迁35

3．半导体中的吸收过程35

3.2　吸收及反射光谱的特征39

3.3　吸收限的压力和温度依赖关系44

3.4　吸收限的杂质浓度关系46

3.5　磁场引起的吸收限移动47

3.6　本征激子吸收47

3.7　禁带和其他物理参量的相互关系48

3.8　局部杂质的吸收50

3.9　红外吸收带51

3.10　振动晶格吸收带51

4．光电效应53

4.1　概述53

4.2　内光电效应53

4.3　Dember效应或光扩散效应61

4.4　光电磁效应63

4.5　光机效应或光动势74

4.6　p-n结中的光效应76

5．磁光效应83

5.1　法拉第效应83

5.2　回旋加速共振88

5.3　振荡磁光效应90

6．半导体辐射的发射92

6.1　复合辐射92

6.2　复合辐射的光谱分布94

6.3　间接和直接的复合98

6.4　场致发光99

6.5　光电发射99

6.6　半导体的热辐射发射100

7．硼103

7.1　导言103

7.2　透射和吸收104

7.3　折射率105

7.4　光效应106

8．金刚石108

8.1　载流子迁移率和光谱移动108

8.2　激活能112

8.3　碳硅混合物113

9．硅115

9.1　一般性质115

9.2　能带的结构115

9.3　电学性质116

9.4　折射率和介电常数117

9.5　硅的本征吸收118

9.6　本征光电导性124

9.7　复合辐射125

9.8　掺杂的硅中的吸收125

9.9　掺杂硅中的光电导性128

10.2　能带结构132

10．锗132

10.1　一般性质132

10.3　电性能133

10.4　折射率和介电常数134

10.5　锗的本征吸收136

10.6　本征光导性143

10.7　复合辐射145

10.8　掺杂的锗146

10.9　锗硅合金151

11．硒153

11.1　导言153

11.2　非晶型硒中的吸收154

11.3　非晶型硒的折射率157

11.4　非晶型硒中的光电导性159

11.5　六角系硒161

11.6　硒的反射率163

11.7　讨论164

11.8　硒碲混合物或硒硫混合物165

12．碲168

12.1　导言168

12.2　吸收168

12.3　吸收同温度和压力的关系169

12.4　折射率171

12.5　长波长吸收172

12.6　能带理论174

12.7　光电效应176

13．其他元素180

13.1　灰锡180

13.2　锑181

13.3　碘181

14.1　一般性质182

14．硫化铅，硒化铅和碲化铅182

14.2　吸收183

14.3　反射测量188

14.4　光学常数的内在关系192

14.5　光效应192

15．锌、镉和汞的硫属元素化合物201

15.1　制备和一般性质201

15.2　电学性质202

15.3　光学性质203

15.4　光电导率205

15.5　硫化锌207

15.6　硫化镉213

15.7　碲化镉221

16.1　导言223

16.2　一般概述223

16．锑化铟和其他Ⅲ-Ⅴ族化合物223

16.3　锑化铟的一般性质226

16.4　锑化铟的能带结构227

16.5　锑化铟中的短波吸收和激活能228

16.6　激活能的浓度关系231

16.7　晶格吸收（余辉带）234

16.8　锑化铟的折射率和色散235

16.9　复合辐射及发射238

16.10　锑化铟的红外法拉第效应239

16.11　锑化铟中的光效应241

附录243

A．在两种介质分界面的过渡层理论243

B．光学常数的内在关系243

C．在强照度下的光电导247

参考文献251

索引280