《超纯硅的制备和分析》

硅的半导体性质 秋山健二1

目 录5

编者前言5

超纯硅制备的化学工艺的研究方向 H.Hoffman12

四氯化硅的吸附提纯法 H.C.Theuerer24

以氢气还原法制取纯硅 藤田荣一32

用西用子法制造高纯度硅 瓜生敏三46

由碘化法中间工厂制造高纯度硅 C.S.Herrick,J.G.Krieble53

由硅烷制备高纯度硅 C.H.Lewis,H.C.Kelly,M.B.Giusto,S.Johnson67

用水平浮区法提纯硅 上羽正信76

用于高温熔炼过程的冷坩埚 H.F.Sterling,R.W.Warren82

晶体生长的新技术 中沼尚85

浮区法生长的硅单晶中的位错 秋山健二，山口次郎，久保修治101

超纯硅的霍耳效应和电导率的测量 A.Hoffmann,K.Rauschel,H.Rupprecht118

由低温霍耳数据确定和验证硅中的杂质 R.T.Bate,I.R.Weingarten,D.J.Shombert123

以霍耳测量评价多晶硅 P.J.OIshefski,D.J.Shombert,I.R.Weingarten131

p型硅中杂质的补偿和磁阻 D.Long,C.D.Motchenbacher,J.Myers138

半导体材料及高纯金属中微量杂质的测定 В.А.Назаренко159

应用空心阴极放电来分析硅中的杂质 Х.И.Зильберштеййн等173

四氯化硅中痕量硼的光谱分析 T.J.Veleker,E.J.Mehalchick176

在用活化法测定二氧化硅中杂质时离子交换色谱分离方法的应用 А.И.Калинин,Р.А.Кузнецов,В.В.Моисеев,А.Н.Мурин184

固体的质谱分析 N.B.Hannay189

同位素稀释法测定硅中的硼 D.C.Newton,J.Sanders,A.C.Tyrrell201

硅中痕量硼经水热提纯法分离后用光度法测定 C.L.Luke,S.S.Flashen212

硅中痕量硼经溴化和非固相分离后用光度法测定 F.A.Pohl,K.Kokes,W.Bonsels221

超纯硅中痕量杂质的分析 F.A.Pohl,W.Bonsels235

挥发性硅化合物的分析法 W.J.McAleer,M.A.Kozlowski,P.I.Pollak,R.G.Denkewalter242