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第一章 绪论1

目录4

序4

第二章 锗和硅的化学制备10

§1．锗的资源11

§2．锗的富集和制取12

§3．硅的资源和制取18

§4．硅的化学提纯19

第三章 锗、硅的区域提纯30

§5．分凝现象31

§6．正常凝固37

§7．区域提纯原理45

§8．锗的区域提纯54

§9．硅的区域提纯68

第四章 锗、硅单晶的制备79

§10．单晶的生长80

§11．锗单晶的制备85

§12．硅单晶的制备102

§13．影响单晶生长的因素107

§14．单晶生长中杂质的分布与控制112

§15．单晶中的缺陷136

第五章 材料的测试145

§16．用热探针测量半导体的导电类型147

§17．电阻率的测量149

§18．霍尔系数的测量158

§19．寿命的测量163

§20．用劳埃相的方法确宝晶向179

§21．位错的观察188

附录191

参考文献196