《集成电路工艺和质量控制手册 1978年增刊》求取 ⇩

《国外电子技术》一九七八年增刊一、引言1

二、集成电路工艺1

（一）改变工艺过程的主要因素1

（二）典型的基本工艺3

1.非掺金（线性或ECL）工艺4

2.掺金（TTL或DTL）数字工艺5

3.肖特基势垒数字工艺6

4.标准P沟道MOS工艺7

5.硅栅PMOS工艺8

6.离子注入PMOS工艺9

7.金属栅CMOS工艺10

8.硅栅NMOS工艺11

9.硅-兰宝石（尖晶石）工艺12

10.集成注入逻辑工艺13

11.电荷耦合器件工艺14

12.介质隔离工艺15

（三）装配16

三、生产线工艺控制技术16

（一）工艺控制16

1.引言16

2.工艺文件16

3.控制体系17

4.工艺资料17

5.工艺控制试验和测量17

（二）筛选检查和试验19

1.要求19

2.军用标准MIL-STD883A的ACR5004方法（筛选试验）19

3.筛选规程10

4.测试图案对比法21

（三）工艺技术22

1.氯气吸杂法22

2.化学汽相淀积玻璃中掺杂剂的监测22

3.光刻胶厚度测定23

4.表面检查23

5.增加光刻胶粘附力的表面处理24

6.在挥发性液体中的微粒检测24

7.用铬离子增大阀值电压24

8.刻蚀倾斜的氧化层台阶25

9.硅片的清洗25

10.吸杂①25

11.吸杂②26

12.电流脉冲烧毁试验26

四、分析技术26

1.X射线检查27

2.检漏27

3.集？电路外壳针脚的连通性测试27

4.外壳启封28

5.探针测量28

6.断？互连金属层与腐蚀钝化层29

7.结深测量20

8.氧化膜厚度测量30

9.扩展电阻测量31

10.表面轮廓测量仪31

11.用选择腐蚀测定钝化层的针孔密度31

12.铜染色31

13.液晶32

14.在射频电场中用等离子体蚀刻或低温灰化去除玻璃钝化层32

15.光谱分析33

16.扫描电镜分析33

17.电子微探针34

18.俄歇电子能谱分析35

19.二次离子质谱分析36

20.飞点（扫描）激光扫描器36

21.红外扫描37

22.颗粒碰撞噪声测量38

23.高分辨率X射线照相38

24.扫描电镜电子束感应电流的应用38

五、失效范围43

1.设计43

2.材料-外延61

3.表面-氧化62

4.掩蔽-刻蚀68

5.扩散-结70

6.金属化75

7.组装90

8.密封106

9.测试109

10.应用114

六、附录（设备一览）119