《晶体生长》

目 录1

译者的话1

第一章晶体生长方法导论1

1-1 引言1

1-2晶体生长的文献1

1-3固相生长方法2

1-4熔体生长方法2

1-5区域熔炼4

1-6汽相生长方法4

1-7 α因子分类法5

1-8结论6

第二章成核和生长理论10

2-1 引言10

2-2 晶体模型11

2-3过饱和、过冷和体积能13

2-4三维成核15

2-5晶体表面的生长22

2-6晶体生长中的材料和热流27

2-7晶体形态的动力学成因28

第三章界面稳定性理论33

3-1引言33

3-2组分过冷34

3-3平界面稳定性的动力学理论38

3-4熔化界面48

3-5有对流时平凝固界面的稳定性54

3-6在过冷液相中生长的固相球体的稳定性58

3-7在过冷液相中生长的固相圆柱体的稳定性65

3-8枝蔓晶体和共晶的稳定性73

3-9结论74

第四章区域熔化及其应用技术78

4-1 引言78

4-2区域熔化的理论概述79

4-3影响区域熔化实践的因素97

4-4区熔设备的设计和选择101

4-5区域熔化技术的新进展108

4-6非常规技术和联合技术109

4-7结论113

第五章砷化镓单晶体和薄膜的生长118

5-1 引言118

5-2相平衡和蒸气压118

5-3理想配比和点缺陷120

5-4块状晶体的生长122

5-5外延薄膜124

5-6结晶缺陷135

5-7结论136

第六章熔盐法138

6-1 引言138

6-2助熔剂的选择138

6-3相图测定140

6-4生长机理142

6-5生长稳定性144

6-6一般实用原理146

6-7缓慢冷却法147

6-8限制成核的方法152

6-9加籽晶生长152

6-10溶剂蒸发法153

6-11温度梯度法153

6-12其他方法156

6-13晶体缺陷157

6-14结论159

7-1引言：方法的通用性与局限性162

第七章 自发成核熔盐法的实际应用162

7-2文献163

7-3装置166

7-4坩埚168

7-5成核173

7-6溶质扩散和晶体生长178

7-7关于氧化物材料用的助熔剂的标志187

7-8关于氟化物材料用的助熔剂的注释204

7-9讨论207

7-10结论215

第八章工业结晶法225

8-1过饱和、成核和生长226

8-2结晶方法和设备237

8-3结晶器的设计和操作245

第九章晶体生长环境的建立、测量和控制253

9-1引言253

9-2温度254

9-3气氛290

9-4容器材料297

9-5生长速度299

9-6结语299

第十章汽相生长304

10-1引言304

10-2汽相生长原理304

10-3物理输运技术306

10-4化学输运技术311

10-5成核与外延膜的继续生长317

10-6归纳和结论323

第十一章熔融金属溶液生长法326

11-1引言326

11-2相关系332

11-3动力学339

11-4熔融金属溶液生长法342

11-5从熔融金属溶液中长出的半导体的性能357

12-1引言381

第十二章晶体提拉法381

12-2熔体382

12-3坩埚383

12-4加热和控制的方法385

12-5 引晶387

12-6保护气氛389

12-7拉速和转速389

12-8 掺杂391

12-9后加热器392

12-10典型生长条件的例子393

第十三章在压力下生长晶体的方法398

13-1引言398

13-2电阻加热399

13-3感应加热404

13-4用液封法（L.E.）生长晶体412

13-5新方法展望419

13-6摘要和结论420

14-1生长方法422

第十四章水溶液法422

14-2晶相423

14-3晶体生长装置424

14-4水热法生长晶体428

14-5晶体形态和生长速率432

14-6晶体缺陷434

第十五章枝蔓生长436

15-1引言436

15-2枝蔓生长的影响439

15-3引起枝蔓生长的不稳定因素442

15-4 “稳态”枝蔓生长速度443

15-5实验数据与理论推算值的比较448

15-6附录451

第十六章液晶454

16-1 引言454

16-2由纯二亲性化合物形成的热致液晶457

16-3由二亲性化合物形成的溶致液晶467

16-4多肽类溶液的胆甾型介晶相471

16-5生物体中的液晶472

16-6热致液晶的应用474

第十七章晶体完美性的鉴定480

17-1引言480

17-2体缺陷、面缺陷、线缺陷和点缺陷480

17-3晶体缺陷的阈值浓度483

17-4测定结构欠完美性的方法484

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