《晶体生长科学与技术》求取 ⇩

第一章　晶体生长热力学唐棣生　李沈军1

1.1　相平衡及相变2

1.1.1　热平衡2

1.1.2　力学平衡3

1.1.3　传质平衡4

1.1.4　相律5

1.1.5　相变8

1.2　相图13

1.2.1　单元系相图13

1.2.2　二元系相图14

1.2.3　三元系相图29

1.2.4　参阅或绘制相图时的注意事项37

1.3　相图在晶体生长中的应用39

1.3.1　生长配料40

1.3.2　生长方式的选择43

1.3.3　晶体完整性与生长速率47

1.3.4　生长后的热处理工艺50

1.3.5　相图在晶体生长中的一个应用实例51

参考文献56

第二章晶体生长动力学 张克从、陈万春57

2.1　晶体生长形态57

2.1.1晶体生长形态与生长速率间的联系58

2.1.2　晶体生长的理想形态59

2.1.3　晶体生长的实际形态60

2.1.4　晶体几何形态与其内部结构间的联系61

2.1.5　环境相对晶体形态影响66

2.2　晶体生长的输运过程70

2.2.1　输运的类型71

2.2.2　边界层理论76

2.3　晶体生长界面的稳定性82

2.3.1　研究界面稳定性应遵循的几个原则83

2.3.2　生长界面稳定性的判据84

2.3.3　界面稳定性动力学理论88

2.4　晶体生长界面结构理论模型91

2.4.1　完整光滑面理论模型92

2.4.2　非完整光滑面理论模型94

2.4.3　粗糙界面理论模型95

2.4.4　扩散界面理论模型99

2.5　晶体生长界面动力学107

2.5.1　完整光滑面的生长107

2.5.2　非完整光滑面的生长112

2.5.3　粗糙界面的生长115

2.5.4　扩散界面的生长117

2.5.5　BCF体扩散理论和GGC体-表面耦合扩散理论119

2.5.6　高聚物晶体生长124

2.6晶体生长动力学研究实验方法126

2.6.1　等组分方法128

2.6.2　原位实时观察法132

2.6.3　显微照相法137

2.6.4　光散射法139

2.6.5　计算机模拟法143

2.7　空间晶体生长的微重力效应147

2.7.1　微重力概念147

2.7.2　空间微重力晶体生长实验149

2.7.3　微重力状态下的输运过程154

2.7.4　微重力环境下的晶体生长形态158

2.7.5　微重力对晶体组分、结构和完整性的影响161

参考文献161

第三章　溶液法生长晶体高樟寿、蒋民华、王希敏171

3.1　溶液和溶解度172

3.1.1　溶液的概念172

3.1.2　溶解度和溶解度曲线174

3.1.3　饱和与过饱和178

3.1.4　溶液饱和温度、溶解度和过饱和度的测定182

3.1.5　溶剂的选择和水溶液的结构188

3.1.6　溶液的物理性质191

3.2　溶液中晶体生长的平衡196

3.2.1　平衡和结晶过程的驱动力196

3.2.2　分配系数198

3.2.3　相稳定区和亚稳相生长200

3.3　从溶液中生长晶体的方法203

3.3.1降温法204

3.3.2　流动法（温差法）208

3.3.3　蒸发法209

3.3.4　电解溶剂法211

3.4　溶液中培养单晶生长条件的控制和单晶的完整性217

3.4.1　籽晶217

3.4.2　溶液的处理219

3.4.3　介质对晶体生长的影响221

3.4.4　水溶液晶体的快速生长229

3.4.5　水溶性晶体常见的宏观缺陷231

3.5　凝胶法晶体生长235

3.5.1　凝胶法晶体生长特点235

3.5.2　凝胶的制备、性质和结构236

3.5.3　凝胶法晶体生长的类型239

3.5.4　成核及其控制244

3.5.5　晶体生长机制245

3.5.6　凝胶法晶体生长的最新进展246

参考文献247

第四章水热法生长晶体 经和贞、贾寿泉249

4.1　水热法生长晶体的原理251

4.2　水热结晶热力学基础252

4.2.1　高温高压下水的热力学特性252

4.2.2A-H2O及A-B-H2O系统中的PVT特性255

4.2.3　水热生长系统中的相关系260

4.2.4　水热溶解反应263

4.3　水热结晶动力学基础269

4.3.1　生长速率的各向异性269

4.3.2　结晶温度与温差271

4.3.3　压力和溶剂填充度274

4.3.4　缓冲器275

4.3.5　溶剂（矿化剂溶液）的化学成分及其浓度278

4.3.6　培养料与籽晶281

4.4　水热法晶体生长技术282

4.4.1高压釜282

4.4.2　高压釜的加热系统与温控系统294

4.4.3　压力检测与控制系统297

4.5　水热法生长晶体的几个典型实例298

4.5.1　α-SiO2晶体的水热生长299

4.5.2　α-A1PO4晶体的水热生长303

4.5.3　祖母绿及彩晶的水热生长309

4.5.4KTiOPO4晶体的水热生长315

4.5.5　其他晶体的水热生长326

参考文献326

第五章　高温溶液法生长晶体蒋培植、贾维义336

5.1　引言336

5.2　助熔剂与溶液338

5.2.1　助熔剂的类型338

5.2.2　助熔剂的选择原则339

5.2.3　助熔剂和溶液的物化特性341

5.2.4　加助熔剂的溶液中的相关系350

5.2.5　常用助熔剂一览355

5.3高温溶液法的晶体生长机理356

5.3.1　速率决定过程356

5.3.2　溶质的输运360

5.3.3　边界层362

5.3.4　界面动力学364

5.3.5　稳态生长条件368

5.4　助熔剂晶体生长的基本技术370

5.4.1　方法的一般原理和分类370

5.4.2　缓冷法373

5.4.3　溶剂挥发法378

5.4.4　温差法379

5.4.5　其它方法382

5.5　高温溶液生长中的一些实用技术385

5.5.1　顶部籽晶技术385

5.5.2　球型坩埚技术388

5.5.3　ACRT技术390

5.5.4　诱导条纹技术（ISM）393

5.5.5　热重分析法396

参考文献397

第六章　从熔体中生长晶体姜彦岛、常英传、任绍霞401

6.1　熔体生长过程的特点402

6.2　熔体生长的一般原理405

6.2.1　结晶过程的驱动力405

6.2.2　物质传输、分凝和溶质分布407

6.2.3　热传输、对流和温度分布420

6.2.4　界面稳定性和组分过冷436

6.3　熔体生长的方法442

6.3.1提拉法443

6.3.2　连续加料提拉法445

6.3.3　泡生法445

6.3.4　坩埚移动法446

6.3.5　热交换法447

6.3.6　冷坩埚法449

6.3.7　水平区熔法449

6.3.8　浮区法449

6.3.9　基座法451

6.3.10　焰熔法452

6.4　提拉法的生长工艺453

6.4.1　提拉法的一般工艺453

6.4.2　提拉法晶体生长实例——掺钕钇铝石榴石晶体（Nd:YAG）的生长467

6.5　提拉法生长中晶体缺陷的形成和控制471

6.5.1　影响晶体完整性的主要原因和改善途径472

6.5.2　缺陷的形成和控制486

6.5.3　晶体的后热处理和掺质退色502

6.6　坩埚下降法的生长设备、工艺及应用506

6.6.1　生长设备507

6.6.2　生长工艺513

6.6.3　几种典型闪烁晶体的性能与应用515

参考文献520

第七章　半导体晶体生长叶式中、陆大成524

7.1　熔体生长524

7.1.1　水平法生长晶体524

7.1.2　无坩埚悬浮熔区生长529

7.1.3　提拉法单晶生长（CZ）530

7.1.4　限边法薄片状晶体生长（EFG）540

7.2　高温溶液生长541

7.2.1　溶液生长晶片541

7.2.2　液相外延生长541

7.2.3　饱和溶质扩散法晶体生长（SSD）549

7.3　气相外延生长550

7.3.1　卤化物气相外延生长552

7.3.2　金属有机物气相外延生长559

7.4　升华法晶体生长577

7.4.1　直接升华生长法577

7.4.2　气相合成升华生长法582

7.5　离子束、离子团束外延生长583

参考文献587

主题词索引589

后记600