《外延生长技术》

第一章外延生长概述4

1-1 什么是外延生长4

1-2 外延生长的种类4

1-3 外延生长的特点8

1-4 器件对外延片的一般要求10

参考文献11

第二章衬底的制备12

2-1 单晶的定向13

2-2 单晶的切割18

2-3 单晶片的研磨21

2-4 单晶片的倒角29

2-5 单晶片的化学腐蚀30

2-6 单晶片的抛光31

2-7 单晶片的化学清洗37

2-8 单晶片质量的检测41

参考文献46

第三章气相外延生长47

3-1气相外延生长的淀积反应48

3-2 气相外延生长的热力学57

3-3 气相外延生长的动力学66

3-4 气相外延生长的成核和生长87

3-5 气-液-固外延生长92

参考文献93

第四章硅气相外延生长95

4-1 氢还原SiCl4硅外延生长原理97

4-2 氢还原SiCl4硅外延生长设备101

4-3 氢还原SiCl4硅外延生长工艺113

4-4 氢还原SiCl4硅外延生长参数控制120

4-5 硅外延层质量的检测162

4-6 硅外延层缺陷的分析184

4-7 氢还原SiHCl3硅外延生长195

4-8 硅烷热分解硅外延生长196

4-9 二氯硅烷和混合源硅外延生长201

参考文献208

第五章硅气相外延的发展209

5-1 完美硅外延生长209

5-2 选择硅外延生长215

5-3 低压硅外延生长218

5-4 低温硅外延生长225

5-5 很低压硅外延生长228

5-6 增强等离子体硅外延生长231

参考文献239

第六章砷化镓气相外延生长241

6-1 氯化物歧化法GaAs气相外延生长242

6-2 GaAs外延层电学特性控制256

6-4 Ga/HCl/AsCl3/H2体系GaAs外延生长264

6-3 GaAs外延层的缺陷264

6-5 GaAs的选择外延生长265

6-6 GaP和InP气相外延生长269

6-7 GaAs1-xPx气相外延生长270

参考文献276

第七章金属有机化合物气相外延生长278

7-1 MOVPE技术概要278

7-2 MOVPE设备280

7-3 MOVPE生长GaAs及其影响因素283

5-7 离子团束硅外延生长285

5-8 P-CVD硅外延生长288

7-4 MOVPE生长GaAs的反应机理289

7-5 MOVPE法生长Ga1-xAlxAs291

7-6 GaxIn1-xAs1-yPy的MOVPE外延生长294

7-7 MOVPE技术的现状295

参考文献298

第八章液相外延生长299

8-1 液相外延生长方法和装置300

8-2 从二组分溶液液相外延生长原理304

8-3 从二组分溶液中瞬态生长311

8-4 从含有两个以上组分的溶液中的异质外延生长317

8-5 平衡相图327

8-6 液相外延层电性能和发光性能的控制332

8-7 液相外延层表面形貌341

8-8 液相外延生长的实例343

参考文献354

第九章固相外延生长356

9-1 无输运介质的固相外延生长357

9-2 有输运介质的固相外延生长363

9-3 固相外延生长小结373

参考文献374

第十章分子束外延生长375

10-1 分子束外延生长设备377

10-2 分子束外延生长的源气化379

10-3 分子束外延生长动力学382

10-4 分子束外延生长GaAs386

10-5 分子束外延生长其它化合物半导体389

10-6 分子束外延生长硅394

10-7 分子束外延在超晶格制备方面的应用397

参考文献398

11-1 电外延生长技术400

第十一章其它外延生长技术400

11-2 热壁外延生长技术420

11-3 化学束外延生长技术427

11-4 利用离子的化合物半导体外延生长技术433

11-5 利用光的化合物半导体外延生长技术436

11-6 原子层、分子层外延生长技术442

参考文献451

第十二章异质外延生长454

12-1 GaAs/Si外延生长454

12-2 SOS外延生长462

12-3 SOI外延生长468

参考文献481