《表3 不同功率条件物料升温速率拟合函数》

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《多晶硅在微波场中动态升温特性研究》

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由图2可知，在其他条件恒定的情况下，微波输出功率为2.0～2.1kW时，多晶硅颗粒受微波辐射1 920s，温度可升高至1 600℃，整体升温曲线平滑，仅在接近1 000℃时出现拐点，有小幅度降温过程，之后温度呈持续升高趋势，但升温曲线斜率由0.023降至0.017，其吸波能力减弱，多晶硅表观升温速率达到0.83℃/s；微波功率降至1.0～1.2kW时，多晶硅颗粒受微波辐射2 340s，温度可升高至1 600℃，温度升高至900℃时，升温曲线出现明显拐点，相比较微波功率2.0～2.1kW时，到达此温度时间延长600s，多晶硅表观升温速率为0.68℃/s，升温速率降低20%；微波功率为0.6～0.7kW条件下，多晶硅从室温升高到1 600℃需要时间3 480s，多晶硅表观升温速率为0.46℃/s，升温速率相对较小，这是因为随着微波功率的降低，腔体内电场强度也逐渐减少，使微波作用在多晶硅物料的耗散功率减小，导致物料升温速度也随之降低。可见，物料升温效率与微波功率增长不呈线性关系。在微波加热多晶硅过程中，为了缩短加热时间，可以适当提高微波功率。不同微波功率下，物料的升温速率经多项式拟合函数如表3所示。