《表1 替位掺Au与间隙掺Au后ZnO的系统总能及Au得失电子数》

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《间隙掺杂中掺Au浓度对ZnO物理特性的影响》

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通过表1数据可以看出，对于任一大小的ZnO超晶包，间隙掺Au后ZnO的系统总能总是低于替位掺Au后ZnO的系统总能，这说明Au原子以填隙的方式掺入ZnO比以替位的方式更稳定[1]。此外，从Au的得失电子数可以看出，替位掺杂中的Au总是得电子，因此得到N型半导体，而间隙掺杂中的Au总是失电子，其中2×2×1中的Au失电子数最多，因此得到P型半导体。