《表2 两种工艺之间最优器件性能对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《基于喷涂法制备氧化锡薄膜的钙钛矿太阳能电池》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

将基于旋涂氧化锡的钙钛矿太阳能电池与喷涂氧化锡的钙钛矿太阳能电池做比较。喷涂氧化锡器件的光电流为22.03 m A/cm2，开路电压为1.02 V，与基于旋涂法氧化锡的钙钛矿太阳能电池相比都偏低（表2），且串联电阻为83.036Ω，为旋涂氧化锡器件（Rsh=46.5Ω）的近两倍，说明基于喷涂氧化锡的器件有较大的光电压与光电流损耗，造成器件性能未能达到最高水准。分析认为，与旋涂氧化锡器件相比，喷涂氧化锡与钙钛矿之间的界面缺陷更多，这可能是造成电池开路电压和短路电流偏低的原因，对氧化锡薄膜进行了形貌表征，认为界面问题与喷涂氧化锡所形成的咖啡环的形成有关。