《表3 存储器读写错误统计表》
(2)在剩余的24个存储器中随机挑选5个,进行了完整的带电加温测试,统计的读写操作开始出错温度、带ECC处理和不带ECC处理两种方式下读取数据的错误数、错误类型以及错误位置如表3所示,其中CE0和CE1为每个存储器中两个片结构的片选标志。部分存储器在加温到150?C后,就开始出现页内单比特位翻转错误,且出错的块、页、列地址固定,未出现单页内多比特位翻转和多处错误的情况。由于ECC算法可以校正页内单比特位翻转的错误,所有存储器在175?C的高温读写实验中,带ECC处理的数据读取错误数均为0。因此,通过ECC算法进行温度补偿后,该款存储器可以在测井要求的175?C高温环境中工作。
图表编号 | XD0097798900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.09.01 |
作者 | 郝小龙、鞠晓东、卢俊强、门百永、陈云霞 |
绘制单位 | 西安石油大学油气钻井技术国家工程实验室井下测控研究室、中国石油大学(北京)、中国石油大学(北京)、中国石油大学(北京)、中国石油集团测井有限公司随钻测井中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |