《表1 不同温度形貌修饰后,钝化后硅片的平均反射率》

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《HIT太阳电池衬底形貌修饰及其应用研究》

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从图中可以看出，开路电压Voc随温度的升高而增大，其中，50℃到60℃的增幅最大，当温度超过60℃时，开路电压的增幅放缓，这是因为随着绒面形貌修饰程度的增加，界面质量越来越高，表面复合越来越少，越来越接近理想状态，Voc也越来越接近implied Voc，这表明被NaClO溶液修饰过的样品的表面形貌更适合HIT电池。填充因子也随着温度的升高而增大，FF的提升由两部分原因造成，一部分是由于表面复合的降低，另一部分则是由于绒面形貌的改变，金字塔过渡性更好，其电极的蒸镀效果较好，因而获得了较好的欧姆接触，降低了接触电阻。电流密度随反应温度的升高先增大后减小。本实验中，影响电流密度的因素主要有两个，一是硅片表面反射率影响的光学损失，另一个是由电极带来的电路损失。50℃组的硅片和60℃组相比，两者钝化后的反射率相差不大，见表1，此时，由于60℃有较好的欧姆接触，因而其电流密度稍大。60℃组和70℃组比较，硅片的反射率有了一定的提高，此时电池的光学损失不可忽略不计，而由于电极接触减少的电路损失不足以弥补这部分光学损失，因而整体表现出电流密度的下降。比较70℃和80℃的情况，由于光学损失进一步增大，而此时电极接触带来的正效应越来越弱，因此这一段的电流密度下降幅度高于60～70℃。综合电性能参数，反应温度为70℃时，HIT太阳电池的效率最高，为12.02%。此外，还可以看出上述太阳电池的能量转换效率均高于未形貌修饰的太阳电池（η=10.16%），由此可见，用Na ClO溶液对硅片进行形貌修饰的工艺窗口较宽。