《表1 实验采用的烧结工艺》

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《粉体粒径及烧结工艺对ZrB_2陶瓷致密化行为与晶粒长大的影响》

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本实验采用亚微米Zr B2粉体（D50=200 nm）和微米Zr B2粉体（D50=2μm）为原料，利用热压烧结和放电等离子烧结制备Zr B2陶瓷。具体烧结工艺分别如下:（1）热压烧结:将Zr B2粉体置于石墨模具中进行真空热压烧结，升温速率15℃/min，烧结温度分别为1500℃、1800℃和1900℃，保温时间1 h，烧结压力30 MPa。（2）放电等离子烧结:将Zr B2粉体置于石墨模具中进行放电等离子烧结，升温速率100℃/min，烧结温度1900℃，保温15 min，烧结压力30 MPa。表1所示为具体的实验参数。