《表2 充电电压改变对输出冲能影响的计算示例》

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《浅析数码电子雷管的发火可靠性》

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2)输出冲能与电容充电电压的平方成正比。通过表2和图3可以看出，充电电压越高，储能越多，对外输出冲能显著增大。因此，一方面，在电容容量受限的情况下，芯片设计时可优先考虑提高内部充电电压等级，包括储能电容充电回路和充电模式（时间）设计应充分可靠，确保储能电容充电能够在给定时间内达到设计的电压值。另一方面，应考虑储能电容充电完毕到延期起爆这段时间由于储能电容的自身漏电可能造成的电压衰减跌落，如计算表中，当充电电压从24 V降低20 V时（约17%），其输出冲能从9.6 A2·ms下降到6.67 A2·ms，降幅达到30%以上。从这一点考虑，芯片模块储能元件宜选用漏电小的高品质电容。