《表1 不同划痕速度下的载荷范围、临界载荷和临界深度》

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《基于微米划痕实验的单晶硅去除机制研究》

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因此，随着载荷的增加，单晶硅在划痕过程中的材料去除方式可被描述为以下3种:弹塑性变形、脆塑转变、脆性破坏。分别用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ来表示材料这3种去除方式所在的各个阶段。表1为3个阶段在不同划痕速度下的载荷范围、临界载荷和临界深度。