《表1 材料的属性参数：微流控芯片细胞动态培养装置的设计与制作》

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《微流控芯片细胞动态培养装置的设计与制作》

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为了验证上述加热器的可行性，即利用电阻的热效应可以对微流控芯片进行加热，使其温度达到37℃，本文借助于Comsol 5.3仿真软件对所设计的培养箱进行热力学仿真分析。根据所设计培养箱以及ITO加热器的结构尺寸，在Comsol 5.3中建立三维模型，并对其进行网格划分，如图3（a）和3（b）所示，利用其中的焦耳热瞬态物理场，通过求解，得到箱体内的温度场。其中，箱体的材料为PMMA，ITO基底的材料为SiO2，ITO薄膜的材料为SnInO2，具体的材料属性参数如表1所示，边界条件设置如下:氧化铟锡膜两端电势差设置为12V，即一端电势为12V，一端为0V；初始温度值设置为293.15K；自然对流换热系数通常为5～25，培养箱为密闭结构，故将其设置为5。