《表2 国内外AlN基板主要生产厂家、产品尺寸和热导率》

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《碳热还原法制备氮化铝的影响因素》

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氮化铝（AlN）是重要的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙宽禁带化合物半导体材料，常温常压下是稳定的六方纤锌矿结构，具有良好的化学稳定性和热稳定性、高的热导率（理论值320W/m·K）、高的机械强度、热膨胀系数与硅接近、易与其他半导体材料兼容、直接带隙宽禁带（Eg=6.2eV）的优点，在电子元器件，光学器件领域具有重要应用[1-4]。AlN具有优异的热、电、光学、力学性能，引起国内外学者广泛的关注，AlN的主要结构性质如表1所示。从表1中可以看出，AlN材料具有导热率高、电阻率高、介电常数高等优点，从而成为新一代电子基板的关键材料。表2为目前国内外AlN基板的生产厂家。