《表3 AlN瓷片有无金属化的热导率比较(Ф25mm×Ф1.46mm)》
以MnO-SiO2-Al2O3为主体早期实验的活化剂,对AlN陶瓷进行了金属化,其封接强度、封接气密性以及热导率等性能都是较低或下降的,其结果见表2,表3,应该说上述四种W(Mo)-Mn法中的活化剂也都不能成功的用于AlN瓷的金属化和功率电子器件。
图表编号 | XD00143686200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.25 |
作者 | 高陇桥、崔高鹏、刘征 |
绘制单位 | 北京真空电子技术研究所、北京真空电子技术研究所、北京真空电子技术研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |