《表1 不同卤素 (Cl, Br, I) 配比Cs Pb X3PQDs发射峰波长、半高宽度和PLQYs》

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《"多色高发光效率CsPbX_3(X=Cl,Br,I)钙钛矿量子点的制备及其在发光二极管中的应用"》

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图4为不同卤素（Cl，Br，I）配比CsPbX3PQDs的发光性能表征结果。图4A为365 nm紫外光照射下的发光效果图，由图4A可以看出，增大Cl-的配比将会使PQDs发射出蓝紫光，而增大I-的配比将使PQDs发射出橙红光。图4B为UV-Vis光谱图，与CsPbBr3PQDs相比，增大Cl-的配比会使PQDs的带边吸收峰的位置发生蓝移，吸收范围减小，并且Cl-的配比含量越高，这种变化越明显；而增大I-的配比则正好相反，带边吸收峰的位置发生红移，吸收范围增大。其原因是CsPbI3、CsPbBr3和CsPbCl3PQDs禁带宽带依次增大（1.6～3.1 eV），使带边吸收波长依次减小[14]。图4C为PL光谱图，如图4C所示，所得不同卤素（Cl，Br，I）配比CsPbX3PQDs的荧光发射峰波长范围为410～630 nm，基本覆盖了整个可见光区域，且通过改变卤元素的浓度配比，可以调节PQDs发射峰波长的移动。CsPbBr3PQDs的发射峰波长为512 nm，以其为基准，增大Cl-的配比可以使发射峰蓝移，且半高峰宽变窄；而增大I-的配比则可以使发射峰红移，且半高峰宽变宽。通过前述图2和图3的粒径结构分析可知，这种发射峰的波长和半高宽的变化是由于PQDs的尺寸发生了改变而引起的，增加Cl-的含量，PQDs晶格收缩，可以增大禁带宽度，同时减小发射波长，使发光峰发生蓝移；而增加I-的含量，PQDs晶格扩张，可以减小禁带宽度，同时增大发射波长，使发光峰发生红移。将制备得到的所有样品进行发光量子产率（PLQYs）的测定，结果如表1所示。由表1可知，CsPbBr3PQDs的PLQYs最高，并且Br-的占比越高，PLQYs越大。