《表4 不同时刻芯片表面中心和边缘温度》

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《IGBT热网络传热模型研究》

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校正芯片表面材料发射率后，设定加热电流为50 A时，采用已建立的实验系统，测试得到芯片表面不同时刻的温度分布云图。IGBT芯片表面温度上升很快且幅度较大，在20 s左右芯片表面最高温度从接近室温上升到约51℃。温度分布云图不同时刻芯片边缘芯片中心点温度如表4所示。改变加热电流，测试得到的结果如表5所示。