《表1 不同清洗方法下基片与水接触角》

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《旋涂法涂制溶胶凝胶改性SiO_2减反膜性能研究》

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采用绸布以手工方式擦洗的熔石英基片在50倍和200倍金相显微镜下的图片如图3所示，采用超声波工艺清洗的熔石英基片在50倍和200倍金相显微镜下的图片如图4所示。从图3中可以看出，手工擦洗后的熔石英基片表面依旧残余较多30μm左右的污染物，统计得到的该尺寸污染物的密度达到0.45mm-2，这些肉眼不可见的污染物主要来自于绸布上附着的微小纤维及颗粒等，这些杂质极有可能在涂膜过程中成为膜层缺陷，进而降低膜层抵抗损伤的能力。章春来等[11]研究发现，10μm以上的包裹物颗粒表现出很强的微透镜效应，会成为诱导损伤的种子。因此，在膜层制备过程中需要避免缺陷的产生。从图4中可以看出，经过超声波工艺清洗的熔石英基片在放大50倍和200倍的金相照片中只能观察到个别污染物，30μm左右的缺陷密度为0.2mm-2，基片的洁净度显著提高。不同清洗方法下基片接触角的测试结果如表1所示。每个基片取4个不同位置的点进行接触角测试，由熔石英基片表面接触角的测试结果可知，超声波清洗方法提高了熔石英基片的洁净度，接触角比手工清洗结果减小了约25°。在使用相同清洗剂清洗基片的条件下，超声波工艺比手工清洗更高效，清洗质量更高。