《表1 试样HA、1SH和3SH极化曲线拟合结果》
提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《掺杂低含量SiO_2对激光熔覆CaP生物陶瓷涂层性能的影响》
图3为不同含硅量试样在常温状态SBF环境下的塔菲尔极化曲线。极化曲线拟合结果如表1所示。由图3可知,不同含硅量试样的腐蚀电位和腐蚀电流密度发生明显变化,添加SiO2试样极化曲线均出现短暂的钝化现象。对比HA试样,1SH试样腐蚀电位下降了380.23 mV,3SH试样较1SH腐蚀电位升高了211.632 m V,同时,试样腐蚀电流密度减少了约一个数量级。由腐蚀速率与腐蚀电流密度的关系可知[18],添加SiO2提高了生物涂层的耐腐蚀性。
图表编号 | XD0065898500 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.06.25 |
作者 | 刘均环、朱卫华、朱红梅、施佳鑫、管旺旺、陈志勇、何彬、王新林 |
绘制单位 | 南华大学机械工程学院、南华大学电气工程学院、超快微纳技术与激光先进制造湖南省重点实验室、南华大学机械工程学院、超快微纳技术与激光先进制造湖南省重点实验室、南华大学机械工程学院、南华大学机械工程学院、南华大学电气工程学院、南华大学机械工程学院、南华大学机械工程学院、南华大学电气工程学院、超快微纳技术与激光先进制造湖南省重点实验室 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |