《表3 射频加速退化试验条件》

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《GaAs微波小功率晶体管加速退化试验数据分析》


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与直流稳态加速退化试验相比,射频动态加速退化试验增加了射频功率注入Pin为0.1 W,其他工作条件相同。射频加速退化试验条件如表3所示。