《表5 催化剂中MoS2片晶的平均层数和长度》

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《Ce浸渍方式对CoMo/CeAl_2O_3催化剂反应性能影响》

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图6为Ce的不同浸渍方式制备催化剂的HRTEM图，由图6可知，Ce的不同浸渍方式制备催化剂硫化后表面MoS2条纹形貌之间存在差异。表5统计了各催化剂硫化后MoS2片晶的平均长度及平均堆垛层数，从表5可以看出，不同浸渍方式制备催化剂之间平均长度变化不大，MoS2片晶平均层数存在较大差异，其中CoMoCe/Al2O3催化剂硫化后能够形成堆垛层数较高的MoS2条纹，CoMo/CeAl2O3催化剂硫化后形成的MoS2条纹堆垛层数最小。文献表明，活性相片晶最有效的脱硫堆积层数为3～5层[34]，结合前面的H2-TPR及XPS表征分析，CoMoCe/Al2O3催化剂载体与活性金属间作用力较弱，活性金属易被硫化，MoS2条纹堆垛层数较高，形成了较多的CoMoS活性相，促进了催化剂的脱硫活性。