《表1 设计的SPAD的主要工艺参量》
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在所提基于标准CMOS工艺的SPAD器件结构中，P+光吸收区直径为8μm，P-charge、N-charge直径均为10μm，其他工艺参量见表1.
| 图表编号 | XD0063367800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.07.01 |
| 作者 | 许明珠、张钰、夏翠雲、逯鑫淼、徐江涛 |
| 绘制单位 | 杭州电子科技大学电子信息学院、杭州电子科技大学电子信息学院、杭州电子科技大学电子信息学院、杭州电子科技大学电子信息学院、天津大学微电子学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
