《表1 制备V2C MXene的实验参数》

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《二维碳化物晶体V_2C MXene的制备与性能研究进展》

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最早报告V2C MXene的制备方法是在2013年，Naguib等[5]用高浓度的氢氟酸刻蚀V2Al C成功制备出了V2C MXene。但是得到的样品中，含有大量未反应的V2Al C。如果延长刻蚀时间来除去不需要的V2Al C，那么所需要的V2C也会从最终产物中消失。为了解决这个问题，Zhou等[28]利用固溶效应提高母相的活性，用固溶体（V1-xTix）2Al C代替V2Al C作为刻蚀的前驱体，用氢氟酸作刻蚀溶液，制备出纯度较高的（V1-xTix）2C MXene，并且具有较好的电化学性能。虽然这种方法可以促进前驱体的二维剥离，但是制备的MXene是Ti-V固溶体而不是纯净的V2C MXene。最重要的是，高浓度的氢氟酸腐蚀性极强，毒性很大，实验操作过程中危险性较高。所以，寻找新的刻蚀溶液来代替氢氟酸具有重要的意义。2014年，Ghidiu等[31]首次提出利用Li F和HCl的混合溶液代替HF来刻蚀Ti3Al C2，并成功获得了Ti3C2MXene，这为MXene的制备开辟了新思路。2017年，Liu等[12]利用NaF和盐酸的混合溶液代替氢氟酸作为刻蚀溶液，在90℃的高温下刻蚀V2Al C，时间为72 h，将产物离心冲洗直至中性，干燥后成功制备出纯度较高且具有优异性能的二维晶体V2C MXene。2018年，Wu等[27]又利用不同的氟化物（NaF、KF和Li F）分别与盐酸混合作刻蚀溶液，刻蚀V2Al C在90℃下保持72 h，发现只有当NaF和盐酸作刻蚀溶液时，能成功制备出高纯的二维晶体V2C MXene。用Na F和HCl制备V2C MXene的方法，其刻蚀机理如图1所示。表1总结了文献中各种制备V2C MXene的实验参数以及效果。