《表1 图2中各点的EDS分析结果》

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《热处理温度对SiC纳米材料形貌和发光性能的影响》

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基于所制产物的物相组成，优选1400～1700℃热处理温度所制SiC纳米材料的显微结构进行了研究，结果如图2所示，其中图2（a）、（c）中各点的能谱结果列于表1中。结合第一部分实验结果及微区能谱分析可知，经1400℃处理后，所制SiC纳米材料多呈如图2（a）所示的棒状和颗粒状的混合体，且颗粒状SiC多处于棒状SiC的顶端，说明SiC纳米材料因外界提供的能量不足，尚停留于生长发育阶段；经1500℃处理后，SiC由图2（a）的形貌发育成图2（b）所示的直径为50～150 nm的短棒状；1600℃处理后，可获得如图2（c）所示的直径为20～100 nm，并具有较大长径比的SiC纤维；经1700℃处理后，Si C纤维的直径发育至100～300 nm，且长度变短，有些甚至团簇成如图2（d）中箭头所示的颗粒状。