《表1 不同激励电压下测量误差与H线圈距离的关系》

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《旋转磁场强度测量方式研究》

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为将计算结果应用至实际测量过程中并将仿真与实验相结合，首先对不同激励电压下测量误差与H线圈距离的关系进行拟合，拟合结果见表1。再制作与仿真模型规格相同的十字形单片测量仪与H线圈，在上述激励电压下测量H线圈感应电压并计算得到试验测量磁场强度，应用拟合得到的测量误差与H线圈距样片距离的关系式，得到试验H线圈试验测量误差与排除误差后的磁场强度试验测量精准值。在激励电压为10 V时，H线圈试验测量值、试验测量精确值与磁场强度真值见图11。从图11中可以看出，H线圈在未排除误差前试验测量值与真值相差158%，排除误差后，H线圈试验测量精确值与真值相差1.03%，说明H线圈不能紧贴样片表面会严重影响磁场强度测量精度，且仿真拟合后H线圈的测量精确值可较好表示磁场强度真值。