《表1 划痕堆积最大残余高度与凹坑深度值》

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《6H-SiC单晶片划痕形貌与残余应力研究》

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图7为原子力显微镜测得静载荷作用下的划痕截面残余深度。对比不同静载荷加载下的划痕截面残余深度，静载荷为6 N时，划痕残余深度变化趋势主要集中在中心部分，两侧未见明显堆积现象，而随着静载荷的增加，划痕残余深度变化在两侧较为明显，且堆积最大残余高度随着静载荷的增加在不断增大，鱼鳞状凹坑最大残余深度也随静载荷的增加而加深，表明材料在较大加载力作用下损伤程度不断加深。不同静载荷加载下的划痕堆积最大残余高度及鱼鳞状凹坑残余最大深度值如表1中所示。