《表3 两种结构动态功耗对比》

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《一种读写分离结构的SRAM译码器设计》

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对使用新型译码器结构的SRAM电路进行测试，结合表3中数据进行分析，第一组为使用读写分离译码器灵敏放大器在读周期内打开写周期内关闭时产生的动态功耗数据。第二组为使用传统译码器结构的SRAM电路，在读写周期灵敏放大器持续保持工作状态产生的动态功耗数据。通过计算写周期内功耗[12-20]，使用新型译码器组相比于使用传统译码器组，节省了灵敏放大器产生的约29.17%的动态功耗。结合表4中与行业内已量产的SRAM性能数据进行对比，可以证明使用新型译码器电路结构确实可以达到降低整个SRAM的动态功耗的目的。