《表1 本研究与其他文献的UWB LNA性能对比》

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《一种双负反馈自偏置CMOS UWB低噪声放大器》

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图7为噪声系数仿真结果。从图7可看出，由外部电源提供偏置电路的噪声系数要比MOS管M2形成的自偏置的噪声系数大，这是由于外部偏置的电阻热噪声处于输入级，对电路整体的噪声性能贡献较大。而由式（14）、（15）对比可看出，通过M2管提供偏置，可以对主放大管的沟道热噪声在A点处形成一定的消除作用，降低电路的输出噪声电压。图8为输入三阶截点仿真结果。从图8可看出，在6GHz频率处，输入三阶截点为-3.9dBm。表1为本研究与其他文献的UWB LNA性能对比。