《表2 不同VDD下的转换效率比较》
查阅IXYS公司MOSFET的数据手册可知,不同栅源电压下,其输出电容值不同。这就使得在不同的直流偏置电压下,等效并联电容C0在发生变化,电路偏离最优状态运行,导致输出功率下降,转换效率降低。即在不同的直流偏置电压下有不同的转换效率。分别对两种工作频率下的结果进行Multisim仿真,利用IXYS公司提供的SPICE仿真模型,针对驱动器和MOSFET的实际器件进行不同频率下的仿真分析,其仿真数据见表2。
图表编号 | XD0057386100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.06 |
作者 | 李亚东、赵二刚、俞梅、卫娜、张建军 |
绘制单位 | 南开大学电子信息与光学工程学院、南开大学电子信息与光学工程学院、南开大学电子信息与光学工程学院、南开大学电子信息与光学工程学院、南开大学电子信息与光学工程学院 |
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