《表2 APG55在不同扫描速率下的比电容》

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《PANi/PPy/GO复合材料的制备与电化学性能》

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以APG55为例，对其在5～100 mV·s-1扫描速率下的循环伏安行为进行了研究，如图6所示。当扫描速率小于20 mV·s-1时，各CV曲线形状相似，响应电流与扫描速率近似成比例增加；当扫描速率大于50 mV·s-1时，随着扫描速率的增大，各CV曲线形状接近于椭圆形，电压与响应电流几乎成比例变化。根据公式（1）对APG55在不同扫描速率下的比电容进行了估算，见表2。随着扫描速率的增加，APG55的比电容值明显减小。这是由于复合材料的氧化还原储能主要是通过离子的掺杂/脱掺杂来实现，过快的扫描速率使得离子的掺杂/脱掺杂速率跟不上扫描速率的变化[12]。