《表1 本文电平位移电路特性与先前工作的比较》
本文设计的电平位移电路与以前报告的一些电平位移电路的性能比较见表1。考虑到输入电压、传播时间和工艺技术,利用质量因素(FOM,F)[6]来评估设计的优越性。由表1可知该电路具有最低的FOM和较高的抗噪声能力。
图表编号 | XD0057018300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.06.20 |
作者 | 张春奇、胡黎、潘溯、冯旭东、张宣、明鑫 |
绘制单位 | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室、电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 |
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