《表1 高阻釉配方表：降低ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率的研究》

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《降低ZnO电阻片在能量冲击下侧面失效率的研究》

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为了避免电阻片在方波筛选以及抽检十八次方波筛选过程中出现微裂纹，采用与本体相似的材料同时兼顾其绝缘性，设计了以下七种配方。实验按表1的配方称量各组分原料，将各原料装入2 L球磨罐中，料∶粘合剂水溶液∶球=1∶1∶2.5，同时加入分散剂，消泡剂以及粘合剂水溶液（PVA溶液0.6%）。分散剂（HDA-698）用量为粉料质量的1%，消泡剂（磷酸三丁酯）用量为粉料质量的0.2%，湿法球磨24 h，转速为400 rpm/min左右。