《表1 不同粉体禁带宽度：Ag_2S-分子印迹-TiO_2光催化降解废水性能研究》
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《Ag_2S-分子印迹-TiO_2光催化降解废水性能研究》
以hv=3.2 eV附近的数据做线性拟合，得到不同拟合线的横轴截距即为粉体的间接禁带宽度，如表1所示。
| 图表编号 | XD00169309400 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2020.07.10 |
| 作者 | 刘显、朱雷、汪恂、孟喜德 |
| 绘制单位 | 武汉科技大学、武汉科技大学、武汉科技大学、武汉科技大学 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
