《表1 不同类型传感器技术参数对比》
TMR传感器是一种新型的磁电阻效应传感器,利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应[5-6]。其输出信号的峰-峰值可达工作电压的80%,因此可简化甚至省略外部信号放大电路,从而减小了电路的体积与成本。对TMR传感器施加一定电压,便可测量敏感轴上的外施磁场并转化成差分电压信号输出。不同类型传感器技术参数对比见表1。
图表编号 | XD0054968700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.20 |
作者 | 刘钰、康爱国、李良辉、武潇 |
绘制单位 | 太原理工大学物理与光电工程学院、太原理工大学物理与光电工程学院、太原理工大学物理与光电工程学院、太原理工大学物理与光电工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |