《表4 在不同温度烧结的富锂正极材料的等效电路阻抗》
图10给出了在不同温度烧结的富锂正极材料的EIS阻抗谱和等效电路。可以看出,曲线由高频部的半圆区、中频部的半圆区、低频部的斜线区构成。高频部半圆区反映的是固态电解质界面层(SEI膜)的阻抗RSEI;中频部半圆区反映的是活性材料/电解液界面电荷转移阻抗Rct[32];低频部斜线区反映的是Li+在体相中的扩散阻抗Zw;Rs为电解液的阻抗[33]。在锂离子电池的充放电循环过程中,电解液水解产生的HF与正极材料之间发生副反应,生成的产物积淀到正极材料表面形成SEI膜,使锂离子迁移的阻力变大。使用Z-view软件拟合出等效电路的阻抗值,列于表4。可以看出,在800℃烧结的富锂正极材料其RSEI的数值较小(为79.17Ω·cm2),表明在800℃烧结的样品前驱体合成的材料结构完整,在充放电过程中遭受HF的侵蚀较弱,使固态电解质界面层的厚度较小,因此呈现出良好的电化学性能。
图表编号 | XD0054550300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.07.25 |
作者 | 周鹏飞、张鹏、杜云慧、王玉洁、左成 |
绘制单位 | 北京交通大学机械与电子控制学院、北京交通大学机械与电子控制学院、北京交通大学机械与电子控制学院、北京交通大学机械与电子控制学院、北京交通大学机械与电子控制学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |