《表1 样品成分及尺寸：氧含量对烧结钕铁硼磁体Dy晶界扩散的影响》

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《氧含量对烧结钕铁硼磁体Dy晶界扩散的影响》

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本研究中首先以高氧工艺制备了3种不同Dy含量的钕铁硼磁体作为扩散用基体，分别命名为0Dy、1Dy、4Dy；在上述3种样品的成分基础上略微减少稀土含量（工艺需要）并以低氧工艺制备了对应Dy含量的3种低氧基体，分别命名为0Dy-L、1Dy-L、4Dy-L。所有样品均在安泰科技股份有限公司试验生产线上制备，具体成分设计及样品尺寸列于表1。本研究采用蒸镀晶界扩散的方式，在800～1000℃下进行渗Dy扩散，随后在氩气保护气氛、550～650℃下进行热处理。为保证最终扩散用磁体中其他微观结构基本一致，低氧磁体的各工序中除O含量控制外其他制备参数与高氧磁体相同，而且所有样品均在同一处理室内同时进行扩散处理。