《表5 其他制备B4C的方法研究对比》

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《碳化硼粉体合成方法的研究进展》

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离子束合成法主要用于B4C薄膜的制备，该过程是直接将B+离子束和C+离子束沉积在基板上。通常在离子束合成过程中，不同离子的离子能、离子流速以及温度都对产物的薄膜厚度产生影响。Ronning等[73]通过离子束合成法，在离子能为100 e V、室温下直接于硅基板上合成B4C薄膜。Todorovic'-Markovic'等[74]通过离子束合成法，分别以B+、B3+为硼源，沉积在硅晶片上的富勒烯薄膜为碳源，通过改变粒子流量得到不定形的B4C薄膜。通过此方法合成的B4C的AFM结果如图5c所示。表5对比了其他方法制备B4C的研究结果。