《表1 采用不同厚度CuPc的电池性能参数》
为了研究不同厚度的CuPc对电池性能的影响,在ITO衬底上利用热蒸发沉积不同厚度的CuPc薄膜作为空穴传输层,实验研究了5,10,15,20 nm这几个不同的厚度.表1为基于不同厚度CuPc的电池的具体光电性能参数,表中:H为CuPc厚度;V为开路电压;J为短路电流密度;f为填充因子;e为光电转化效率.从表1可以看出CuPc的厚度对所有关键性能参数都有影响.当CuPc厚度为5 nm时,最高的光电转化效率仅为13.63%,可能的原因是:太薄的CuPc膜不能较好地完整覆盖基底,导致钙钛矿不能在其表面很好地成膜.将CuPc厚度增加到10 nm时,所有的性能参数都有提升,性能最佳的器件的光电转化效率为15.37%,填充因子为0.769.当CuPc厚度进一步增加时,电池的开路电压和短路电流密度都明显下降,导致光电转化效率也随之降低.当厚度增加到20 nm时,电池的效率降到了12.41%,填充因子也仅有0.674.实验结果表明:太薄或者太厚的CuPc都会使器件的性能降低,本研究中CuPc层的优化厚度为10 nm.
图表编号 | XD0052625000 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.05.23 |
作者 | 廖广兰、涂玉雪 |
绘制单位 | 深圳华中科技大学研究院、华中科技大学机械科学与工程学院、华中科技大学机械科学与工程学院 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |