《表5 不同ZrO2浓度下陶瓷膜层的电化学参数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《纳米ZrO_2微粒对TC4合金表面微弧氧化陶瓷膜层耐蚀及耐磨性能的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图7为不同ZrO2浓度下陶瓷膜层的极化曲线。根据塔菲尔外推法得到的电化学参数如表5所示。由表5知，TC4基材的腐蚀电位最小，其耐蚀性最差。比较不同ZrO2浓度下制备的复合膜层的自腐蚀电位可知，当ZrO2的含量低于9 g/L时，随着其含量的增加，膜层的腐蚀电位提高，特别是当其质量浓度为9 g/L时，膜层的自腐蚀电位提高了226.17 mV。但当ZrO2的含量达到12 g/L时，膜层的自腐蚀电位降低了136.851 mV。由表5可知，基材的自腐蚀电流密度最大，耐蚀性最差。当ZrO2的含量低于9 g/L时，膜层的自腐蚀电流密度相近，均较基材提高了一个数量级，但当ZrO2的含量增加到12 g/L时，膜层的腐蚀电流较大，与基材相近。